| 专利名称 |
一种基于非富勒烯受体材料作SnO2界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| 申请号/专利号 |
CN202310201573.X |
专利权人(第一权利人) |
吉林大学 |
| 申请日 |
2023-03-06 |
授权日 |
2026-04-14 |
| 专利类别 |
授权发明 |
战略新兴产业分类 |
材料化工 |
| 技术主题 |
钙钛矿 (结构)|开路电压|电池|化学工程|物理学|接受体|材料科学|化学|电子传输层|钙钛矿太阳能电池|电池单元|太阳能|短路 |
| 应用领域 |
光伏发电 |
| 意向价格 |
具体面议 |
| 专利概述 |
一种基于非富勒烯受体材料作SnO2界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池技术领域。所制备的太阳能电池采用ITO/SnO2/BDT‑IC/Perovskite/Spiro‑OMeTAD/Ag的n‑i‑p正型结构。在本发明中,我们提出了一种基于苯并二噻吩为中心核的非富勒烯受体分子BDT‑IC作为SnO2电子传输层的界面修饰层,进而制备钙钛矿太阳能电池的方法。使用本发明所述的材料及器件制备方法,可以有效地钝化电子传输层和钙钛矿界面处的缺陷(例如,未配位的Pb离子),抑制界面载流子的非辐射复合,增加开路电压、短路电流等光伏性能参数优化器件性能。同时,简化器件制备工艺,提高器件稳定性。 |
| 图片资料 |
|
| 合作方式 |
具体面议 |
| 联系人 |
孟爽 |
联系电话 |
18088660757 |