超高压碳化硅电力电子器件(SiCIGBT)产业化开发

超高压碳化硅电力电子器件(SiCIGBT)产业化开发

交易信息:
完全转让-0.00 元
技术领域:
应用领域:
最后更新时间:2022-07-29 09:15
所在地:
吉林省 长春市 南关区
所有者:
飙飙
联系方式:
13756056562
项目以国家战略需求为指引,以市场需求为导向,面向轨道交通等领域,开展超高压碳化硅电力电子器件(SiC IGBT)产业化开发。通过对芯片设计、关键工艺等技术研究,开发出超高压SiC IGBT芯片,实现我国第三代电力电子器件国产化,打破欧美发达国家在该领域的垄断。
阿萨德1111245