具有自主知识产权的EUV光刻胶的成功研发,填补了我国在超高精细光刻胶研发领域的空白,将为摆脱国内高档光刻胶材料完全依赖进口的格局,促进我国集成电路制造产业的健康发展起到积极的促进作用。在此工作的基础上,以获得的光刻胶主体材料为核心,通过配方和工艺研发,实现了193nm曝光机光刻,为我国开展193nm和193nm浸没式光刻胶的研发打下了基础。
具有自主知识产权的EUV光刻胶的成功研发,填补了我国在超高精细光刻胶研发领域的空白,将为摆脱国内高档光刻胶材料完全依赖进口的格局,促进我国集成电路制造产业的健康发展起到积极的促进作用。在此工作的基础上,以获得的光刻胶主体材料为核心,通过配方和工艺研发,实现了193nm曝光机光刻,为我国开展193nm和193nm浸没式光刻胶的研发打下了基础。